Mua Infineon Technologies IPL65R660E6AUMA1 MOSFET N-CH 4VSON

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPL65R660E6AUMA1

MOSFET N-CH 4VSON

Mã sản phẩm

IPL65R660E6AUMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ E6

Trạng thái một phần

Last Time Buy

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-40°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

4-PowerTSFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

Thin-Pak (8x8)

Tản điện (Tối đa)

63W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

650V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

7A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

660 mOhm @ 2.1A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.5V @ 200µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

23nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15779 PCS

Thông tin liên lạc