Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD65R400CEAUMA1
MOSFET N-CH 650V TO-252
Mã sản phẩm
IPD65R400CEAUMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
118W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Super Junction
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
15.1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
400 mOhm @ 3.2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 320µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
39nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7383 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPD65R400CEAUMA1
IPD65R400CEAUMA1 Linh kiện điện tử
IPD65R400CEAUMA1 Việc bán hàng
IPD65R400CEAUMA1 Nhà cung cấp
IPD65R400CEAUMA1 Nhà phân phối
IPD65R400CEAUMA1 Bảng dữ liệu
IPD65R400CEAUMA1 Ảnh
IPD65R400CEAUMA1 Giá
IPD65R400CEAUMA1 Lời đề nghị
IPD65R400CEAUMA1 Giá thấp nhất
IPD65R400CEAUMA1 Tìm kiếm
IPD65R400CEAUMA1 Thu mua
IPD65R400CEAUMA1 Chip