Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPD03N03LA G

IPD03N03LA G

MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
Mã sản phẩm
IPD03N03LA G
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO252-3
Tản điện (Tối đa)
115W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
25V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.2 mOhm @ 60A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 70µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
41nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5200pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23554 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPD03N03LA G
IPD03N03LA G Linh kiện điện tử
IPD03N03LA G Việc bán hàng
IPD03N03LA G Nhà cung cấp
IPD03N03LA G Nhà phân phối
IPD03N03LA G Bảng dữ liệu
IPD03N03LA G Ảnh
IPD03N03LA G Giá
IPD03N03LA G Lời đề nghị
IPD03N03LA G Giá thấp nhất
IPD03N03LA G Tìm kiếm
IPD03N03LA G Thu mua
IPD03N03LA G Chip