Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB70N10S312ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-3-2
Tản điện (Tối đa)
125W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.3 mOhm @ 70A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 83µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
66nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4355pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43107 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB70N10S312ATMA1
IPB70N10S312ATMA1 Linh kiện điện tử
IPB70N10S312ATMA1 Việc bán hàng
IPB70N10S312ATMA1 Nhà cung cấp
IPB70N10S312ATMA1 Nhà phân phối
IPB70N10S312ATMA1 Bảng dữ liệu
IPB70N10S312ATMA1 Ảnh
IPB70N10S312ATMA1 Giá
IPB70N10S312ATMA1 Lời đề nghị
IPB70N10S312ATMA1 Giá thấp nhất
IPB70N10S312ATMA1 Tìm kiếm
IPB70N10S312ATMA1 Thu mua
IPB70N10S312ATMA1 Chip