Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DF11MR12W1M1B11BOMA1

DF11MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET MODULE 1200V 50A
Mã sản phẩm
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolSiC™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Chassis Mount
Gói / Thùng
Module
Sức mạnh tối đa
20mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
Module
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V (1.2kV)
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
55A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
23 mOhm @ 50A, 15V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 20mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
125nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 9048 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của DF11MR12W1M1B11BOMA1
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Linh kiện điện tử
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Việc bán hàng
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Nhà cung cấp
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Nhà phân phối
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Bảng dữ liệu
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Ảnh
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Giá
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Lời đề nghị
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Giá thấp nhất
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Tìm kiếm
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Thu mua
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Chip