Mua Infineon Technologies BSS225H6327FTSA1 MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BSS225H6327FTSA1

MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89

Mã sản phẩm

BSS225H6327FTSA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

SIPMOS®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-243AA

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-SOT89

Tản điện (Tối đa)

1W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

600V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

90mA (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

45 Ohm @ 90mA, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.3V @ 94µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

5.8nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

131pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 30073 PCS

Thông tin liên lạc