Mua Infineon Technologies BSC123N10LSGATMA1 MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

BSC123N10LSGATMA1

MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8

Mã sản phẩm

BSC123N10LSGATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TDSON-8

Tản điện (Tối đa)

114W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10.6A (Ta), 71A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

12.3 mOhm @ 50A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.4V @ 72µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

68nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 21972 PCS

Thông tin liên lạc