Mua Infineon Technologies BSC084P03NS3EGATMA1 MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

BSC084P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8

Mã sản phẩm

BSC084P03NS3EGATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerTDFN

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TDSON-8

Tản điện (Tối đa)

2.5W (Ta), 69W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

14.9A (Ta), 78.6A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

8.4 mOhm @ 50A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 110µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

57.7nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

4240pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

6V, 10V

VSS (Tối đa)

±25V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 35996 PCS

Thông tin liên lạc