onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MJD122T4G
NPN 100V 8A 8.0 A, 100 V, NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Mã sản phẩm
MJD122T4G
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Darlington Tube
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-252-2(DPAK)
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
This Darlington bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. The MJD122 (NPN) and MJD127 (PNP) are complementary devices.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 72510 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của MJD122T4G
MJD122T4G Linh kiện điện tử
MJD122T4G Việc bán hàng
MJD122T4G Nhà cung cấp
MJD122T4G Nhà phân phối
MJD122T4G Bảng dữ liệu
MJD122T4G Ảnh
MJD122T4G Giá
MJD122T4G Lời đề nghị
MJD122T4G Giá thấp nhất
MJD122T4G Tìm kiếm
MJD122T4G Thu mua
MJD122T4G Chip