onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
FDB1D7N10CL7 Power MOSFET, N-Channel, Standard Gate, 100 V, 268 A, 1.7 mΩ

FDB1D7N10CL7

Power MOSFET, N-Channel, Standard Gate, 100 V, 268 A, 1.7 mΩ
Mã sản phẩm
FDB1D7N10CL7
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
TO-263-6
đóng gói
taping
Số lượng gói
800
Sự miêu tả
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor's advanced Power Trench process which incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance with the industry's best soft body diode.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 64931 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7 Linh kiện điện tử
FDB1D7N10CL7 Việc bán hàng
FDB1D7N10CL7 Nhà cung cấp
FDB1D7N10CL7 Nhà phân phối
FDB1D7N10CL7 Bảng dữ liệu
FDB1D7N10CL7 Ảnh
FDB1D7N10CL7 Giá
FDB1D7N10CL7 Lời đề nghị
FDB1D7N10CL7 Giá thấp nhất
FDB1D7N10CL7 Tìm kiếm
FDB1D7N10CL7 Thu mua
FDB1D7N10CL7 Chip