Triode/MOS tube/transistor/module
LRC (Leshan Radio)
Nhà sản xuất của
NPN 80V 500mA silk screen 1GM MMBTA06 with the same function and pin length
Sự miêu tả
Infineon (Infineon)
Nhà sản xuất của
800V 8A three-quadrant bidirectional thyristor High dv/dt anti-interference Applicable to inductive loads and occasions with serious electromagnetic interference
Sự miêu tả
Regent Energy
Nhà sản xuất của
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Nhà sản xuất của
NCE (Wuxi New Clean Energy)
Nhà sản xuất của
AGM-Semi (core control source)
Nhà sản xuất của
Replace AO3401A MOS tube_AO3481_3.5A30V_SOT23_AOS
Sự miêu tả
HUXN (Huixin)
Nhà sản xuất của
Triode Transistor Type: NPN Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 80V Collector Current (Ic): 1A Power (Pd): 500mW DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@150mA, 2V BL 100-250 NPN, Vceo=80V, Ic=1A, hfe=100~250
Sự miêu tả
ALLPOWER
Nhà sản xuất của
MOSFET Type N+P Drain-Source Voltage (Vdss) (V) -30 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 28/35 Continuous Drain Current ID (A) 6
Sự miêu tả
DIODES (US and Taiwan)
Nhà sản xuất của
NPN, Vo=50V, Io=100mA
Sự miêu tả
NIKO-SEM (Nickerson)
Nhà sản xuất của
ST (STMicroelectronics)
Nhà sản xuất của
WINSOK (Weishuo)
Nhà sản xuất của
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 200 VGS(V) 20 ID(A)Max. 2 VGS(th)(v) 2.8 RDS(ON)(m?)@4.110V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 12.7 Qgd(nC) 16.3 Ciss(pF) 645 Coss(pF) 68 Crss(pF) 21
Sự miêu tả
SHIKUES (Shike)
Nhà sản xuất của
Wuxi Unisplendour
Nhà sản xuất của
HUAYI (Hua Yi Wei)
Nhà sản xuất của
VBsemi (Wei Bi)
Nhà sản xuất của
N-channel, 20V, 6A, 28mΩ@4.5V
Sự miêu tả